求助，我是刚开始搞金属的菜鸟。最近正在为做 TEM 实验做准备，现在有几个问题，希望大家能帮忙解答一下。
1、如何判定一个位错是否为超位错？只看形貌像是不是和普通位错差不多？书上有关于普通位错和不全位错的 g.b 表，可以根据相关的位错消光原理查表求b，但是唯独没有见过超位错的 g.b 表？没有表咋整？
2、一般电镜薄膜试样的厚度方向是否为单晶？？确定薄膜法线取向到底有何意义？？如果厚向是多晶的话 那么厚度方向法线取向怎么算？？
3、怎么测定入射电子取向？？是不是一开始先胡乱转样，直到转出了单晶衍射花样，然后对比标准花样，就看出电子束方向？？
4、如何确定位错类型？就算知道柏氏矢量方向，但怎么能弄出来位错线方向？？

1、说来惭愧，我也算小小了解位错，但超位错这个概念还是不太清楚，今天查了资料，看了一些图片，超位错就是一对矢量相反同时形成的位错，多为螺位错，所以这个要弄清楚螺位错的柏氏矢量依然是不可能的任务，因为消光条件的实验技术限制了。所以你也不可能在书中查到这个表，怎么办呢？就是在 TEM 图上，标出一个滑移方向即可。很多文章都这么做，没问题的，例如 J Crystal Growth 187 (1997) 351 。
2、厚度方向如果晶粒很大的可能是具有相同的晶粒取向，但说单晶不合理，因为晶粒都是三维的，你看着理解。法线方向确定能够给定晶粒取向，EBSD 就是做这个事情的，所以有用！ 厚度不怎么可能是多晶，因为 TEM 样品薄区厚度 30 纳米，怎么说，基本上这有一种取向。假设有两种取向，那么通过倾转样品，你能得到准确的衍射图，根据这个你来确定方向吧。
3、入射电子取向，那个是固定的，不用测啊，你要旋转的是样品，另外不是胡乱旋转，你首先会观察到菊池线（切换到衍射镜，但不按衍射开关），根据菊池线来调整衍射花样。电子束你看不到的，你看到的都是投影。
4、位错类型，就是确定其柏氏矢量，然后查表，就是你说的消光条件，国外叫 Two beam condition，原理很长，看黄孝英（神一样的女人）的书吧！
你想观察位错，还想搞点有理有据的分析，但显然你现在还火候不到，所以你先看书，然后找电镜的实验员帮你解决问题。消光实验，根据试样不同，很需要耐心和细心，必须专业啊！