PECVD100等离子增强化学气相淀积系统(Plasma enhanced chemical vapor deposition system)
重庆大学
FHR Anlagenbau GMBH,PECVD100PECVD100
重庆市
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检测范围

生长低应力薄膜SiO2、Si3N3及a-Si膜层

仪器参数

loadlock:极限真空< 1x10-3 mbar;抽真空两小时后测得的漏率为3x10-6 mbar/s; 工艺腔室:抽真空两小时极限真空<6x10-6 mbar ;抽真空两小时后测得的漏率为1x10-5 mbar/s; 温控范围80°C - 500 °C,温控精度: +/- 0,5 °C;

仪器特色&服务特色

中国核物理研究院开关掩膜层制备、ICT线模卡掩膜层制备、清华大学介质薄膜材料制备等
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