离子刻蚀系统配套升级
北京理工大学
SPTS,OMEGA LPX DSI
北京市
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检测范围

该机器可以将硅刻蚀的工艺最佳化,更可大幅度地改善制程能力的稳定性和可靠性。拥有全新的高密度、高均匀性的等离子源的设计,可提高30%的刻蚀速度及高于35%的掩膜选择比。

仪器参数

100mm硅片,刻蚀速度:>2微米/分钟,光刻胶选择比: >20:1,侧壁角度:90+/-0.5deg,侧壁粗糙度:
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