Talos F200X G2可实现原子尺度结构解析与微区元素精准定量，广泛应用于材料科学、凝聚态物理、化学、催化、微电子、半导体、新能源、金属与失效分析等领域。

• 纳米颗粒、二维材料、多孔材料的形貌与尺寸统计
• 原子尺度晶体结构、缺陷、位错、界面与晶界分析
• 选区/纳米束电子衍射、物相鉴定与晶格参数测量
• 轻/重元素快速定量EDS面分布、线扫、点分析
• 薄膜、多层膜、异质结的界面扩散与元素偏析
• 电池电极、催化剂、光电材料的微结构—成分关联
• 半导体器件、先进金属的失效分析与工艺质控

技术参数

1. 分辨率与加速电压

• 加速电压：20–200 kV
• HRTEM信息分辨率：≤12 nm
• STEM分辨率：≤16 nm（X-FEG）
• 高压稳定性：≤1 ppm/10 min

2. 电子枪与束流性能

• 电子枪：X-FEG高亮度场发射电子枪
• 枪亮度：8×10⁹ A/cm²·srad @200 kV
• 最大束流：≥50 nA @200 kV
• 束斑漂移：<1 nm/min
• EELS能量分辨率：≤8 eV

3. 成像与探测系统

• 放大倍数：TEM 25×–05 M×；STEM 约330 M×
• 相机：Ceta S 16M，4k×4k，全帧最高40 fps
• STEM探头：HAADF、BF/DF、DPC/iDPC，支持轻重元素同场高衬度成像
• TEM/STEM模式切换热稳定时间：<30 s

4. Super-X G2 EDS能谱

• 四对称无窗SDD探测器，收集立体角约7–0.9 sr
• 可测元素范围：B及以上
• 能量分辨率：≤136 eV（Mn-Kα，10 kcps）

支持快速点/线/面Mapping

5. 样品台与自动化

• 多轴压电驱动样品台，全自动导航与漂移补偿
• 支持低温、原位气/液、加热/拉伸及3D断层样品杆
• 全自动化对中、消像散、聚焦与大面积拼图成像
• 兼容TEM/STEM/EDS关联表征与多设备数据融合