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深刻机(DRIE)
郑州大学
SPTSTechnologieslimited，omegaLPXICP-SR
河南省
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检测范围

目标材料上面等离子体刻蚀深槽，主要应用于MEMS

仪器参数

1、4英寸晶圆2、刻硅：Si、Ti、Pt等多种材料3、EBS电压及He冷背压4、刻蚀速率：0.01~3.5um/min5、侧壁角度：90°+-1°
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