检测范围
通过在反应腔内布置的电极之间产生辉光放电现象，使得工艺气体被电离成为带电等离
子体，促进光刻胶与工艺气体的反应，生成可挥发物质，从而达到去除光刻胶的目的。主要用
于光刻胶的剥离、材料的表面处理及表面改性等。
仪器参数
射频源最大功率：1000W；工作频率：13.56MHz；笼式反应腔体电极；工艺气体：CF4 O2；典型光刻胶刻蚀速率：80nm/min；典型工艺均匀性：10%
仪器特色&服务特色
半导体硅片生产中光刻胶或SU-8胶工艺；平板显示生产中等离子体预处理；太阳能电池生产中边缘绝缘和制绒；先进晶片（芯片）装配中的衬底清洁和预处理；微流控芯片封装预处理等；
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