检测范围
该设备采用磁控溅射（RF&DC）方式，镀制各种单层膜、多层膜以及掺杂膜。可用于制备各种金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜及介质复合膜和其它化化物薄膜。
仪器参数
该设备系由涡轮分子泵机组抽气带空气锁的双室（主溅射室+进样室+磁力进样装置）超高真空系统。主溅射室尺寸为Φ500×H400㎜，梨形截面筒式真空室、大法兰盖电动升降，大法兰盖与真空腔体的密封采用氟橡胶圈密。选用基片在下，磁控靶在上的结构，向下溅射成膜方式。安装三支Φ3″永磁磁控靶（其中一支进口），RF&DC兼容;Kaufman源5cm离子枪，在PLC可编程控制下可分别对三个工位的样品依次进行镀前清洗。基片转盘程序控制，不同的基片可选择不同的靶位。进样室尺寸Φ250×L320㎜，卧式前开门结构;磁力样品传递装
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