反应离子蚀刻机(RIE)
西北工业大学
北京创威纳科技有限公司,RIE-502
陕西省
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检测范围

用于MEMS浅槽刻蚀工艺。

仪器参数

1.极限真空:  4.0×10-4 Pa2.刻蚀材料:   Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、Au、Al、GaN、GaAs等3.真空室规格: φ300?100,4.电极尺寸:   φ200mm5.刻蚀速率:  0.1 ? 1μ/min
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