低压化学气相沉积炉(LPCVD)
西北工业大学
北京七星华创电子有限公司,4374卧式
陕西省
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检测范围

制备二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃和多晶硅薄膜

仪器参数

适用于4英寸硅片,25片每批 结构型式:三管卧式热壁型 淀积薄膜及淀积膜均匀性优于(1500埃情况下): 淀积膜厚度: 600~20000埃 主要工艺气体:SiH4、SiH2Cl2、NH3、PH3 其中LTO采用TEOS热分解制备 工作温度范围:550~950℃ 温区长度及精度:≤±1℃/300mm 温度梯度:0~30℃/300mm可调 系统极限真空度:优于1Pa
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