检测范围
金属、半导体及高分子薄膜材料、表面的缺陷、自由体积、空孔深度： 1）表面、薄膜材料正电子湮没多普勒展宽测量； 2）表面、薄膜材料正电子湮没符合多普勒展宽测量； 3）正电子3伽玛湮没测量； 4）低能正电子物理
仪器参数
1) 正电子注入能量 0 keV~30 keV; 2) 直线束正电子束斑 ≤10 mm; 能量分散≤ 1 eV；束流~106e+/s; 3）捕获阱工作时，脉冲方式脉冲宽度可调20ns ~2ms; 储存时间18s; 正电子束斑 ≤ 1 mm; 能量分散≤几十meV； 单脉冲107e+/s; 4）可聚焦。
仪器特色&服务特色
1. 三大检索论文约20余篇/年； 2. 研究生培养； 3. 培训操作人数10余人。 4. 科研课题10余项。 5. 社会服务多项。
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