检测范围
用于半导体器件的制作，可用于微纳器件的原位曝光，待曝光基底的尺寸可在20 毫米到2 英寸之间自由改变，可实现不规则形状基底的曝光，特别适合于学术研究。
仪器参数
主要功能为光刻，设备包括以下五个部分：1. 光学系统（包括照明光源、成像、CCD对准、自动对焦四部分）, 2. 位移平台系统（x、y、z位移平台和转动系统）, 3. 电气系统（包括电源、机械部件）, 4. 控制系统（包括位移平台控制、图像采集处理、自动曝光、图形生成功能）, 5. 隔振系统（由气浮隔振平台、压缩机组成）。光刻机分辨率为0.65微米，套刻精度为0.3微米。
仪器特色&服务特色
Nanotechnology, 2015, 26, 405301
分享
