检测范围
立式HVPE单晶生长系统，主要应用于GaN单晶材料的生长。GaN是制备大功率半导体器件的重要的衬底材料，也是国家“白光工程”急需材料，我们在功能材料平台成功完成SiC材料生长的基础上，积极开展GaN半导体材料的研究，可以极大地巩固平台在半导体材料方面研究的优势，并开拓新
仪器参数
1.具有两个工作温区，第一温区850℃，温区长度约为70mm左右，第二温区1050℃，温度控制精度±1℃。加热体的最高工作温度需达到1100℃；2.采用氦质谱检漏仪，气路系统的检测漏气率小于2×10-8atmscc/s；3.各个工艺过程精确控制，稳定可靠。
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