检测范围
用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体和有机化合物薄膜材料，特别适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。
仪器参数
进样室的真空度可达到6. 65×10-5Pa；外延生长室的极限真空度为6.65×l0-8Pa。基片加热温度可达850 -- 900℃，并能在较高气体分压(如200mTorr)条件下正常工作。同时该设备配有反射式高能电子衍射仪(RHEED) 可以原位实时监控薄膜原子尺度的外延生长以及四极质谱仪用于真空沉积系统的检漏。
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