检测范围
本设备为双腔体高真空系统，其中一室是薄膜沉积腔，用于沉积各种金属薄膜、化合物薄膜，可以进行共溅射，也可以制作单层膜/多层膜。另一室是离子刻蚀腔，用于刻蚀Si、SiO2、Si3N4 、Al2O3、TiO2等材料，兼有去胶功能，可实现部分金属的浅刻蚀。
仪器参数
（1）极限真空：优于9.0×10-5 Pa（2）溅射材料：各种金属膜、合金膜、介质膜、掺杂膜等；（3） 溅射靶：共四个靶位，其中φ80mm 磁控溅射靶三只，φ80mm直流溅射靶一只。（4）溅射形式：三个靶位配有独立的射频电源，可实现三靶共溅射，也可以实现三单层膜溅射，复合膜溅射，多层膜交替溅射等。一个靶材配有直流电源。（5）刻蚀材料：主要有SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5、TiO2、Mo、Al、Poly-Si、Si、GaN、GaAs，刻蚀速率：0.1～1um/min；刻蚀不均匀性：≤±5%
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