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光学浮区晶体生长设备(无)
上海大学
CRYSTAL SYSTEM公司，FZ-T-10000-H-VI-P-SH
上海市
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检测范围

这种装置无需坩埚,此,以避免熔体和坩埚材料之间的反应。这种装置还可以实现熔剂移动的方式,这是生长非共熔材料和具有不均匀组分固熔体材料所须的。？ 在过去20年中,报道了许多成功的结果,生长了许多高质量的晶体。

仪器参数

炉体部分，工作区尺寸：160*160*200 mm；加热区高度：200 mm；恒温区高度：100 mm；额定温度：1900℃，可使用温度：1800℃；
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