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双束场发射电子显微镜(FEI Helios NanoLab 660 DualBeam System electron microscope)
所在单位：	盛美半导体设备（上海）有限公司
品牌/型号：	美国FEI，FEI Helios NanoLab 660
所在地区：	上海市
仪器说明：	我们目前尚未与盛美半导体设备（上海）有限公司提供的该仪器进行进一步的对接。如果您需要使用该仪器，建议您联系相关单位，以确定是否可以对外开放。您也可以通过点击此处提交需求，委托我们帮您联系相关单位。如果您选择通过我们联系相关单位进行送样测试，我们将为您提供以下保障：票正规发票合委托合同保交易担保退不满意退款优优选服务商

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仪器介绍

检测范围

离子切割FIB、辅助沉积与刻蚀；扫描电镜观察,TEM 样品制备，STEM样品观察EDS EBSD

仪器参数

场发射电子枪，电子束加速电压：350 V - 30 kV；Ga离子枪，离子束加速电压：500 V C 30 kV；分辨率：0.8 nm (@30kV, STEM)，0.9 nm (@15kV, SE), 1.4 nm (@1kV, SE)；配备Pt气体沉积源；配置STEM EBSD 样品台；安装Auto Slice&View软件可以实现自动化离子束切割成像. 配置IEE刻蚀.

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