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等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)）
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仪器介绍
检测范围
等离子体增强化学气相沉积利用射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子 体，等立体促进气体系列化学反应，在样品表面形成固态薄膜。可用于微纳结构中抗腐蚀层和 半导体器件中的SiOx、SiNx等绝缘层低温条件下的薄膜生长。具有沉积基本温度低；沉积速率 快；成膜
仪器参数
射频功率：13.56MHz；最大晶圆尺寸：6英寸；下电极加热最高可达400℃；反应气体：5%SiH4、N2O、NH3、N2；可沉积薄膜材料：SiOx、SiNx；沉积均匀性≤3%
仪器特色
PECVD最重要的应用之一是沉积微电子器件用绝缘薄膜，在低温下沉积氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一类的绝缘薄膜，这对于超大规模集成芯片的生产是至关重要的。PECVD的一个重要优点是能在比热CVD更低的温度下沉积。PECVD技术在250～400C的温度范围内使氮化硅薄膜的沉积成为可能；PECVD沉积SiO2绝缘层被广泛地应用于半导体器件工艺，最近在光学纤维的涂层和某些装饰性涂层方面获得了应用；