无掩膜紫外光刻系统(Is improving)
清华大学
IMP,SF-100XCEL
北京市
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光刻最小线宽?1um厂务要求?需要压缩空气,光学平台,真空设备曝光原理?采用图像拼接技术,存在拼接精度问题自动对焦功能?只能在曝光区域曝光区之间对焦,无法在曝光区内部对焦是否可加工6 inch样品?否加工样品速度(在4 inch样品,50%曝光区,使用SU8系列光刻胶,胶厚50um,0

仪器参数

光刻最小线宽?1um厂务要求?需要压缩空气,光学平台,真空设备曝光原理?采用图像拼接技术,存在拼接精度问题自动对焦功能?只能在曝光区域曝光区之间对焦,无法在曝光区内部对焦是否可加工6 inch样品?否加工样品速度(在4 inch样品,50%曝光区,使用SU8系列光刻胶,胶厚50um,0.5um最小线宽的情况下,总的处理时间(预处理时间+曝光时间))
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