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电子束直写刻蚀系统
所在单位:
西安交通大学
品牌/型号:
CRESTEC公司,CABL9000C
所在地区:
陕西省
仪器说明:
我们目前尚未与
西安交通大学
提供的该仪器进行进一步的对接。如果您需要使用该仪器,建议您联系相关单位,以确定是否可以对外开放。您也可以通过
点击此处
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仪器介绍
检测范围
在电子束光刻胶上制作纳米结构。结合刻蚀或者Lift-Off剥离工艺,可以在各种基材(硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物)上制备纳米图形。 可用于小面积掩膜版、纳米电极、纳米电路等微纳尺度结构的加工。
仪器参数
最小线宽:30nm
加速电压:30kV
电子束斑直径:2nm
扫描电镜分辨率:2nm
加工晶圆尺寸:小于4英寸
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