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反应离子蚀刻机(Is improving)
清华大学
瑞典，PTL 520/520
北京市
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检测范围

本刻蚀机刻蚀方式：RIE模式。刻蚀精度：1微米。主要刻蚀介质：Si3N4、Si、POLY-Si、SiO2.刻蚀尺寸：4英寸及以下及切割片。选择比、均匀性良好。

仪器参数

介电材料刻蚀：RIE模式；刻蚀精度：1微米

仪器特色&服务特色

王喆垚、任天令、刘泽文、吴华强、梁仁荣、潘立阳、王敬、许军、邓宁、钱鹤、伍晓明（微电子所）
尤政、朱荣、阮勇（精仪系）、罗毅（电子系）、姚文清（化学系）
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