仪器参数
1. 该设备主要用于测量Si，SiC，ZnO，GaN，ITO等半导体薄膜的载流子迁移率、霍尔系数以及载流子浓度。并且可以用于测量各种导体膜的方块电阻；
2．磁场采用永磁体提供。最大磁场不小于0.5 Tesla。磁场不均匀性小于±1 %。在10年内保证磁场变化量小于0.2%；
3．可以进行变温霍尔效应的测试，温度在80 K—580 K内可任意调控，控制精度0.1 K，控温稳定性±0.1 K。
4. 变温系统在20 分钟以内在80 K—580 K范围内实现变温。并保证变温过程以及测试过程为全自动程序控制。变温
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